Linh kiện IGBT BSM150GB120DN2 Infineon

Linh kiện IGBT BSM150GB120DN2 Infineon BSM150GB120DN2, 62MM Module Series IGBT Module, 210 A max, 1200 V, Screw Mount Nhà sản xuất: Infineon Danh mục sản phẩm: Mô-đun IGBT RoHS: Chi tiết Sản phẩm: Mô-đun Silicon IGBT Cấu hình: Half Bridge Bộ thu - Điện áp phát VCEO Max: 1200 V Điện áp bão hòa bộ thu-phát: 2,5 V Bộ thu liên tục hiện tại ở 25 C: 210 A Gate-Emitter Rò rỉ hiện tại: 320 nA Pd - Công suất tiêu thụ: 1,25 kW Gói / Trường hợp: Half Bridge2 Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 40 C Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C Bao bì: Khay Thương hiệu: Infineon Technologies Hàng tháo máy đang dùng tốt, đẹp như mới