Sò transistor lGBT 60N60

Điện áp chịu đựng Vce: 600V         Dòng điện cực đại Ic: 75A(ở nhiệt độ TC= 25°C), 47A(ở nhiệt độ TC= 110°C)         Nhiệt độ tối đa: 150°C         Điện áp Vge: ±25V         Công suất Ptot: 250W     IGBT 60N60 là transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực. IGBT 60N60 kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.      IGBT 60N60 là một loại van công suất tuyệt vời. Khác với thysistor, IGBT cho phép đóng cắt một cách vô tư bằng cách đặt điện áp điều khiển lên hai cực G và E. Điện áp ra đo được trên van rất đồng dạng với điện áp điều khiển. IGBT thường dùng trong các mạch biến tần hay các bộ băm xung áp một chiều       IGBT 60N60 được phát triển để có hiệu quả cao và khả năng đóng cắt nhanh. Vì vậy, IGBT 60N60 thường được dùng để chuyển mạch điện trong nhiều thiết bị hiện đại: bếp từ, ổ đĩa biến tần (VFD), xe điện , xe lửa, tủ lạnh tốc độ biến đổi, chấn lưu đèn, máy lạnh và thậm chí cả hệ thống âm thanh stereo với bộ khuếch đại chuyển mạch.