2MBI100N-060 IGBT Module Tháo Máy

Công Dụng : 2MBI100N-060 IGBT Module Tháo Máy - IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F.Wheatley vào năm 1982. - IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. - Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ. - Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector (tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET. - Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET. - Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET. - Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector. + Linh Kiện Hàn Cắt : - Đảm bảo hàng độc giá tốt nhất toàn thị trường - Đảm bảo sảm phẩm giống hình - Địa chỉ : Số 686-688 Đường Long Hưng Tổ 3 Phường Hoàng Diệu TP Thái Bình hoặc - Truy Cập WEBSITE : linhkienhancat.com